美光宣布 ，早已已完成第四代3D NAND闪存的首次流片 ，应用了新的发展的发展替换栅极(RG)架构  ，并新计划在明年投入量产。

美光第四代3D闪存堆叠了数量最多128层  ，依然以及使用阵列下CMOS设计造型 思路  ，然而美光与Intel以及使用多年的浮动栅极(floating gate)换便成替换栅极(replacement gate)  ，以缩小尺寸、降低成本、整体提升性能 ，升级中到下一代制造工艺也更十分容易。

这样是一新架构是美光独自研发的  ，并然而Intel的协助  ，对方早已越走越远。

然而 ，已完成流片这就美光新闪存是一步尝试  ，美光还然而新计划将任何内容两条产品一线转向RG架构  ，暂时也然而带来什么才会的成本降低。

目前来看 ，美光的首要任务完成 是扩大96层3D闪存的产能  ，明年将其应用到各条产品一线。